发明授权
EP1376602B1 Magnetic ram using thermo-magnetic spontaneous hall effect and method of writing and reading data using the magnetic ram
有权
与自发霍尔效应和热磁数据的磁RAM存储器写入使用这样的读出方法
- 专利标题： Magnetic ram using thermo-magnetic spontaneous hall effect and method of writing and reading data using the magnetic ram
- 专利标题（中）： 与自发霍尔效应和热磁数据的磁RAM存储器写入使用这样的读出方法
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申请号： EP03250442.5申请日： 2003-01-24
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公开(公告)号： EP1376602B1公开(公告)日： 2008-12-17
- 发明人: Kim, Tae-wan , Kim, Kee-Won , Park, Wan-Jun , Song, I-Hun , Park, Sang-Jin
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 申请人地址： 416, Maetan-dong, Paldal-gu Suwon-City, Kyungki-do KR
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 416, Maetan-dong, Paldal-gu Suwon-City, Kyungki-do KR
- 代理机构： Greene, Simon Kenneth
- 优先权： KR2002035141 20020622
- 主分类号： G11C11/18
- IPC分类号： G11C11/18
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