发明授权
EP1514309B1 DEEP WORDLINE TRENCH TO SHIELD CROSS COUPLING BETWEEN ADJACENT CELLS OF NAND MEMORY
有权
深WORTLEITUNSGGRABEN有关暴露于交叉耦合之间的NAND存储器相邻小区
- 专利标题： DEEP WORDLINE TRENCH TO SHIELD CROSS COUPLING BETWEEN ADJACENT CELLS OF NAND MEMORY
- 专利标题（中）： 深WORTLEITUNSGGRABEN有关暴露于交叉耦合之间的NAND存储器相邻小区
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申请号： EP03736962.6申请日： 2003-06-09
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公开(公告)号： EP1514309B1公开(公告)日： 2013-11-27
- 发明人: CHIEN, Henry , FONG, Yupin
- 申请人： SanDisk Technologies Inc.
- 申请人地址： Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 US
- 专利权人： SanDisk Technologies Inc.
- 当前专利权人： SanDisk Technologies Inc.
- 当前专利权人地址： Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 US
- 代理机构： Hitchcock, Esmond Antony
- 优先权： US175764 20020619; US353570 20030128
- 国际公布： WO2004001852 20031231
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
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