发明公开
- 专利标题： Ion implantation ion source
- 专利标题（中）： 离子源离子注入
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申请号： EP05001136.0申请日： 2000-12-13
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公开(公告)号： EP1538655A3公开(公告)日： 2009-06-03
- 发明人: Horsky, Thomas N. , Williams,John N.
- 申请人： Semequip, Inc.
- 申请人地址： Suite 200, 132 Great Road Stow, MA 01775 US
- 专利权人： Semequip, Inc.
- 当前专利权人： Semequip, Inc.
- 当前专利权人地址： Suite 200, 132 Great Road Stow, MA 01775 US
- 代理机构： Paustian, Othmar
- 优先权： US170473P 19991213; US250080P 20001130
- 主分类号： H01J37/08
- IPC分类号： H01J37/08 ; H01J37/317
摘要：
A multi-mode ion source comprises an ion source incorporating an ionization chamber for ionizing gas species and configured to have at least two discrete modes of operation, namely, an discharge mode, and a non-arc discharge mode.
公开/授权文献
- EP1538655A2 Ion implantation ion source 公开/授权日：2005-06-08
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