发明公开
EP1538684A1 Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Diiminoquinonderivaten
有权
Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten
- 专利标题: Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Diiminoquinonderivaten
- 专利标题(英): Process for doping organic semiconductors with derivatives of diiminoquinones
- 专利标题(中): Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Dioxaborinderivaten
-
申请号: EP04002303.8申请日: 2004-02-03
-
公开(公告)号: EP1538684A1公开(公告)日: 2005-06-08
- 发明人: Kühl, Olaf, Dr. , Hartmann, Horst , Zeika, Olaf , Pfeiffer, Martin, Dr. , Zheng, Youxuan
- 申请人: Novaled GmbH
- 申请人地址: Tatzberg 49 01307 Dresden DE
- 专利权人: Novaled GmbH
- 当前专利权人: Novaled GmbH
- 当前专利权人地址: Tatzberg 49 01307 Dresden DE
- 代理机构: Bittner, Thomas L., Dr.
- 优先权: DE10357044 20031204
- 主分类号: H01L51/30
- IPC分类号: H01L51/30 ; H05B33/14 ; H01L31/00 ; C09K11/06 ; H01L51/20
摘要:
Die Erfindung betrifft die Verwendung einer organischen mesomeren Verbindung als organischer Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben. Um mit Dotanden zu versehende organischer Halbleiter im Produktionsprozess leichter handhaben zu können und elektronische Bauteilen mit dotierten organischen Halbleitern reproduzierbarer herstellen zu können, wird vorgeschlagen, als mesomere Verbindung ein Chinon oder Chinonderivat oder ein 1,2,3-Dioxaborin oder ein 1,3,2-Dioxaborinderivat zu verwenden, das unter gleichen Verdampfungsbedingungen eine geringere Flüchtigkeit als Tetrafluorotetracyanochinodimethan (F4TCNQ) aufweist.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类: