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发明公开
EP1592072A3 Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung 有权
半导体芯片光电子和过程及其制备方法

Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要：
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip (1) für die Optoelektronik mit einer Dünnfilmschicht (5), in der eine elektromagnetische Strahlung emittierende Zone (6) ausgebildet ist und die eine Abstrahlseite (7), eine Rückseite (8) und Seitenflanken (9) aufweist, die die Rückseite (8) mit der Abstrahlseite (7) verbinden; und einem Träger (17) für die Dünnfilmschicht (5), der an der Rückseite (8) angeordnet und mit dieser verbunden ist; wobei auf der Abstrahlseite (7) mindestens eine elektrische Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) und auf der Rückseite (8) mindestens ein Graben (3) ausgebildet ist. Der Graben (3) definiert gemäß einem Aspekt der Erfindung einen einzigen Teilbereich (4), der im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappt. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung definiert der Graben (3) auf der Rückseite (8) eine Mehrzahl von Teilbereichen (4), die im Wesentlichen nicht mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappen und die jeweils zu mindestens einem mit der Vorderseitenkontaktstruktur (2,22) überlappenden Bereich benachbart sind.
Die Erfindung betrifft zudem ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (1).
摘要（英）：

The invention relates to a semiconductor chip (1) for optoelectronics with a thin film layer (5), in which an electromagnetic radiation-emitting region (6) is formed and a radiation side (7), a back (8) and side flanks (9), connecting the rear side (8) to the radiation side (7); and a support (17) for the thin film layer (5) which is arranged on the rear side (8) and connected thereto; wherein on the emission side (7) is at least one electrical front side contact structure (2,22) and on the back (8) is formed at least one trench (3). The trench (3) defines, in one aspect of the invention, a single portion (4), which overlaps substantially not with the front side contact structure (2.22). According to a further aspect of the invention, the trench (3) on the back (8) defines a plurality of partial regions (4), overlap substantially not with the front side contact structure (2,22) and the respective at least one with the front side contact structure (2 , 22) overlapping region are adjacent. The invention also relates to a method for producing such a semiconductor chip (1).

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