发明公开
- 专利标题： NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
- 专利标题（中）： 氮化物半导体及其制造方法
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申请号： EP04712740申请日： 2004-02-19
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公开(公告)号： EP1601009A4公开(公告)日： 2010-07-14
- 发明人: KYONO TAKASHI , UENO MASAKI
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2003057983 2003-03-05
- 主分类号： C23C16/02
- IPC分类号： C23C16/02 ; C23C16/34 ; C30B25/02 ; H01L21/205 ; H01L33/32 ; H01L21/31
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