发明公开
EP1645871A4 SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, METHOD FOR PRODUCING SENSOR, AND SENSING METHOD
有权
单电子晶体管，场效应晶体管，传感器，其制造方法传感器和采样
- 专利标题： SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, METHOD FOR PRODUCING SENSOR, AND SENSING METHOD
- 专利标题（中）： 单电子晶体管，场效应晶体管，传感器，其制造方法传感器和采样
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申请号： EP04734418申请日： 2004-05-21
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公开(公告)号： EP1645871A4公开(公告)日： 2011-02-23
- 发明人: MATSUMOTO KAZUHIKO , MUKASA KOICHI , ISHII ATSUSHI , TAKEDA SEIJI , SAWAMURA MAKOTO , SUBAGYO AGUS , HOSOI HIROTAKA , SUEOKA KAZUHISA , KIDA HIROSHI , SAKODA YOSHIHIRO
- 申请人： JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
- 专利权人： JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
- 当前专利权人： JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY
- 优先权： JP2003146480 2003-05-23; JP2004037866 2004-02-16
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; G01N27/30 ; G01N27/414 ; H01L51/30
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