发明公开
- 专利标题： Halbleitergegenstand und Verfahren zur Herstellung
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 赫尔斯特朗·赫斯特伦
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申请号： EP05022316.3申请日： 2005-10-13
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公开(公告)号： EP1650793A1公开(公告)日： 2006-04-26
- 发明人: Bromberger, Christoph, Dipl.-Phys.
- 申请人： ATMEL Germany GmbH
- 申请人地址： Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn DE
- 专利权人： ATMEL Germany GmbH
- 当前专利权人： ATMEL Germany GmbH
- 当前专利权人地址： Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn DE
- 优先权： DE102004050740 20041019
- 主分类号： H01L21/74
- IPC分类号： H01L21/74 ; H01L21/225 ; H01L21/265
摘要：
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergegenstandes, indem
eine Silizidschicht (2) aufgebracht wird,
in die Silizidschicht (2) ein Fremdstoff eingebracht wird, der in einem Halbleitergebiet (3) als Dotand wirkt,
die Silizidschicht (2) zumindest teilweise unterhalb des, an die Silizidschicht angrenzenden, monokristallinen Halbleitergebietes (3) angeordnet wird, so dass die Silizidschicht (2) unter einer Schicht aus dem monokristallinen Halbleitergebiet (3) zumindest teilweise vergraben wird,
und
mittels eines späteren Hochtemperaturschrittes der als Dotand wirkende Fremdstoff zumindest teilweise in das angrenzende monokristalline Halbleitergebiet (3) aus der zumindest teilweise vergrabenen Silizidschicht (2) eindiffundiert wird.
eine Silizidschicht (2) aufgebracht wird,
in die Silizidschicht (2) ein Fremdstoff eingebracht wird, der in einem Halbleitergebiet (3) als Dotand wirkt,
die Silizidschicht (2) zumindest teilweise unterhalb des, an die Silizidschicht angrenzenden, monokristallinen Halbleitergebietes (3) angeordnet wird, so dass die Silizidschicht (2) unter einer Schicht aus dem monokristallinen Halbleitergebiet (3) zumindest teilweise vergraben wird,
und
mittels eines späteren Hochtemperaturschrittes der als Dotand wirkende Fremdstoff zumindest teilweise in das angrenzende monokristalline Halbleitergebiet (3) aus der zumindest teilweise vergrabenen Silizidschicht (2) eindiffundiert wird.
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