发明公开
- 专利标题： PROCESS FOR FABRICATION OF A FERROELECTRIC CAPACITOR
- 专利标题（中）： 用于生产铁电电容器
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申请号： EP04749231.9申请日： 2004-07-13
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公开(公告)号： EP1661167A1公开(公告)日： 2006-05-31
- 发明人: HORNIK, Karl , BRUCHHAUS, Rainer , NAGEL, Nicolas
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 代理机构： Howe, Steven
- 优先权： US651614 20030829
- 国际公布： WO2005022611 20050310
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/8246 ; H01L27/115
摘要：
A process for the fabrication of a ferroelectric capacitor comprising depositing a layer of Ti 5 over an insulating layer 3 of Al 2 O 3 , and oxidising the Ti layer to form a TiO 2 layer 7. Subsequently, a layer of PZT 9 is formed over the TiO 2 layer 7. The PZT layer 9 is subjected to an annealing step in which, due to the presence of the TiO 2 layer 7 it crystallises to form a layer 11 with a high degree of (111)-texture.
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