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发明公开
EP1717854A3 Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips 审中-公开
半导体芯片与焊料层序列和焊接的半导体芯片的方法

Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips
摘要：
Bei einem Halbleiterchip (1), auf den eine zur Herstellung einer Lötverbindung vorgesehene Schichtenfolge (2) aufgebracht ist, wobei die Schichtenfolge (2) eine Lotschicht (15) und eine vom Halbleiterchip (1) aus gesehen der Lotschicht (15) nachfolgende Oxidationsschutzschicht (17) umfasst, ist zwischen der Lotschicht (15) und der Oxidationsschutzschicht (17) eine Barriereschicht (16) enthalten. Dadurch wird verhindert, dass ein Bestandteil der Lotschicht (15) vor dem Lötvorgang durch die Oxidationsschutzschicht (17) diffundiert und dort eine für die Herstellung einer Lötverbindung nachteilige Oxidation bewirkt.
摘要（英）：

In a semiconductor chip (1), is applied to the one intended to manufacture a solder connection layer sequence (2), wherein the sequence of layers (2) a solder layer (15) and one from the semiconductor chip (1) seen from the solder layer (15) subsequent oxidation protection layer ( comprising 17) is contained between the solder layer (15) and the oxidation preventing layer (17) a barrier layer (16). This prevents that one constituent of the solder layer (15) before the soldering process by the oxidation protection layer (17) diffuses and there causes a disadvantageous for the production of a solder connection oxidation.

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