VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BEREICHS MIT REDUZIERTER ELEKTRISCHER LEITFÄHIGKEIT INNERHALB EINER HALBLEITERSCHICHT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT

发明授权

EP1749317B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BEREICHS MIT REDUZIERTER ELEKTRISCHER LEITFÄHIGKEIT INNERHALB EINER HALBLEITERSCHICHT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 有权

标题翻译：方法生产具有减少的电导的区域内的半导体层和光电半导体器件

专利标题： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BEREICHS MIT REDUZIERTER ELEKTRISCHER LEITFÄHIGKEIT INNERHALB EINER HALBLEITERSCHICHT UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
专利标题（英）： Method for producing an area having reduced electrical conductivity within a semiconductor layer and optoelectronic semiconductor element
专利标题（中）： 方法生产具有减少的电导的区域内的半导体层和光电半导体器件
申请号： EP05747600.4

申请日： 2005-04-25
公开(公告)号： EP1749317B1

公开(公告)日： 2017-01-18
发明人: ILLEK, Stefan , STEIN, Wilhelm , WALTER, Robert , WIRTH, Ralph
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
申请人地址： Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg DE
专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
当前专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
当前专利权人地址： Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg DE
代理机构： Epping - Hermann - Fischer
优先权： DE102004026231 20040528
国际公布： WO2005117147 20051208
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/24 ; H01L21/76 ; H01L21/363 ; H01L33/00

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长