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发明公开
EP1770766A2 Epitaxiesubstrat, damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren 审中-公开
Epitaxiesubstrat，damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren

  • 专利标题： Epitaxiesubstrat, damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren
  • 专利标题（英）： Epitaxial substrate, device using it and corresponding fabrication method
  • 专利标题（中）： Epitaxiesubstrat，damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren
  • 申请号： EP06019931.2
    申请日： 2006-09-22
  • 公开(公告)号： EP1770766A2
    公开(公告)日： 2007-04-04
  • 发明人: Plößl, Andreas
  • 申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
  • 申请人地址： Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg DE
  • 专利权人： Osram Opto Semiconductors GmbH
  • 当前专利权人： Osram Opto Semiconductors GmbH
  • 当前专利权人地址： Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg DE
  • 代理机构： Epping - Hermann - Fischer
  • 优先权： DE102005047149 20050930
  • 主分类号： H01L21/20
  • IPC分类号： H01L21/20
Epitaxiesubstrat, damit hergestelltes Bauelement sowie entsprechende Herstellverfahren
摘要：
Es wird ein III-V-Halbleiter aufweisendes Epitaxiesubstrat vorgeschlagen, das mindestens eine Schicht porösen III-V-Halbleitermaterials enthält, sowie ein entsprechendes Herstellverfahren. Ferner wird ein Bauelement, insbesondere eine LED, angegeben, das auf dem vorgeschlagenen Epitaxiesubstrat hergestellt ist, und ein entsprechendes Herstellverfahren.
摘要（中）：

衬底具有含有半导体材料的多孔层，例如 砷化镓和砷化铟镓，其中多孔层的部分区域（21a）中的孔径大于多孔层的另一部分区域（21b）。 在半导体晶体（23）上长满的多孔层内保持结晶学远距离布置。 发光二极管结构布置在基板的表面中。 还包括以下独立权利要求：（a）组分，例如 由外延衬底制造的发光二极管（b）制造外延衬底的方法（c）制造组件的方法，例如， LED。

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