发明授权
- 专利标题： Method of programming cells of a NAND memory device
- 专利标题（中）： 一种用于编程NAND单元存储器件的方法
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申请号： EP06425536.7申请日： 2006-07-28
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公开(公告)号： EP1883076B1公开(公告)日： 2011-12-21
- 发明人: Crippa, Luca , Ravasio, Roberto , Micheloni, Rino
- 申请人： STMicroelectronics Srl , Hynix Semiconductor Inc.
- 申请人地址： Via Olivetti 2 20041 Agrate Brianza (MB) IT
- 专利权人： STMicroelectronics Srl,Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： STMicroelectronics Srl,Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： Via Olivetti 2 20041 Agrate Brianza (MB) IT
- 代理机构： Kraus, Jürgen Helmut
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10 ; G11C11/56
公开/授权文献
- EP1883076A1 Method of programming cells of a NAND memory device 公开/授权日：2008-01-30
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