发明公开
EP1962337A2 Procede de préparation d' un materiau diélectrique à porosité orientée sur substrat par traitement électromagnétique et/ou photonique 审中-公开
具有的孔隙率引导到由电磁和/或光子处理的基片的电介质材料的制造方法

  • 专利标题: Procede de préparation d' un materiau diélectrique à porosité orientée sur substrat par traitement électromagnétique et/ou photonique
  • 专利标题(英): Method of preparing a dielectric material with oriented porosity on a substrate by electromagnetic and/or photonic treatment
  • 专利标题(中): 具有的孔隙率引导到由电磁和/或光子处理的基片的电介质材料的制造方法
  • 申请号: EP08101901.0
    申请日: 2008-02-22
  • 公开(公告)号: EP1962337A2
    公开(公告)日: 2008-08-27
  • 发明人: ZENASNI, Aziz
  • 申请人: Commissariat à l'Energie Atomique
  • 申请人地址: 25, rue Leblanc Immeuble "Le Ponant D" 75015 Paris FR
  • 专利权人: Commissariat à l'Energie Atomique
  • 当前专利权人: Commissariat à l'Energie Atomique
  • 当前专利权人地址: 25, rue Leblanc Immeuble "Le Ponant D" 75015 Paris FR
  • 代理机构: Poulin, Gérard
  • 优先权: FR0753451 20070223
  • 主分类号: H01L21/316
  • IPC分类号: H01L21/316 H01L21/312 C08J9/26 B05D3/06 B05D3/14
Procede de préparation d' un materiau diélectrique à porosité orientée sur substrat par traitement électromagnétique et/ou photonique
摘要:
L'invention a trait à un procédé de fabrication d'un matériau diélectrique à porosité orientée sur un substrat comprenant :
a)le dépôt en phase vapeur sur un substrat d'une couche composite, comprenant un matériau formant une matrice et un composé comprenant des groupes chimiques aptes à s'orienter sous l'effet d'un champ électromagnétique et/ou d'un rayonnement photonique ;
b)le traitement de la couche composite pour obtenir la réticulation du matériau formant une matrice ;

ledit procédé comprenant, en outre, une étape c) consistant à soumettre ledit substrat revêtu de ladite couche composite à un champ électromagnétique et/ou un rayonnement photonique, ladite étape c) étant réalisée simultanément à l'étape a), lorsque l'on soumet ladite couche à un rayonnement photonique ou étant réalisée avant et/ou simultanément à l'étape b), lorsque l'on soumet ladite couche à un champ électromagnétique, sachant que le champ électromagnétique est appliqué au contact du substrat, cette étape c) étant réalisée de sorte à aligner selon une direction prédéterminée les groupes chimiques mentionnées à l'étape a).
Application au domaine de la microélectronique, aux membranes séparatrices, aux membranes de diffusion, aux détecteurs moléculaires, aux matériaux optiques, aux masques polymères.
信息查询
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入H01L21/28)
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的(密封层入H01L21/56);以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层(H01L21/3105,H01L21/32优先)
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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