发明授权
EP2017360B1 High purity hafnium, high purity hafnium target and method of manufacturing a thin film using high purity hafnium
有权
高纯度铪，以及高纯度Hafniumtarget方法使用高纯度铪的制造薄膜
- 专利标题： High purity hafnium, high purity hafnium target and method of manufacturing a thin film using high purity hafnium
- 专利标题（中）： 高纯度铪，以及高纯度Hafniumtarget方法使用高纯度铪的制造薄膜
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申请号： EP08165172.1申请日： 2004-10-25
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公开(公告)号： EP2017360B1公开(公告)日： 2012-08-08
- 发明人: SHINDO, Yuichiro c/o Isohara Factory Nikko Mat. Co., Ltd,
- 申请人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 申请人地址： 6-3, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8164 JP
- 专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人： JX Nippon Mining & Metals Corporation
- 当前专利权人地址： 6-3, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8164 JP
- 代理机构： Hoarton, Lloyd Douglas Charles
- 优先权： JP2003388737 20031119
- 主分类号： C22B34/14
- IPC分类号： C22B34/14 ; C22C27/00 ; C23C14/34
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