发明公开
EP2131388A4 GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
审中-公开
氮化镓外延晶片及其制造方法的氮化镓半导体发光COMPONENT
- 专利标题： GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
- 专利标题（中）： 氮化镓外延晶片及其制造方法的氮化镓半导体发光COMPONENT
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申请号： EP08711671申请日： 2008-02-20
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公开(公告)号： EP2131388A4公开(公告)日： 2010-11-03
- 发明人: YOSHIZUMI YUSUKE , UENO MASAKI , NAKAMURA TAKAO
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2007085439 2007-03-28
- 主分类号： H01L33/16
- IPC分类号： H01L33/16 ; H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01S5/343
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