发明授权
- 专利标题： NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING CARBON OR NITROGEN DOPED DIODE AND METHOD OF MAKING THEREOF
- 专利标题（中）： 与制造碳氮掺杂的二极管和过程非易失性存储设备
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申请号： EP08768725.7申请日： 2008-06-23
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公开(公告)号： EP2168161B1公开(公告)日： 2015-09-23
- 发明人: HERNER, S., Brad , CLARK, Mark, H. , KUMAR, Tanmay
- 申请人： SanDisk 3D LLC
- 申请人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 US
- 专利权人： SanDisk 3D LLC
- 当前专利权人： SanDisk 3D LLC
- 当前专利权人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 US
- 代理机构： Tothill, John Paul
- 优先权： US819041 20070625; US819042 20070625
- 国际公布： WO2009002476 20081231
- 主分类号： H01L27/102
- IPC分类号： H01L27/102 ; H01L29/868 ; G11C11/36 ; H01L29/861 ; H01L29/161 ; H01L29/167 ; H01L29/26
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