发明公开
EP2240954A1 PROCÉDÉ D'ÉLABORATION, SUR UN MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE, DE NANOFILS EN MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEUR CONNECTANT DEUX ÉLECTRODES
有权
METHOD FOR纳米线由半导体材料生长，两个电极CONNECT，ON的电介质材料
- 专利标题： PROCÉDÉ D'ÉLABORATION, SUR UN MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE, DE NANOFILS EN MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEUR CONNECTANT DEUX ÉLECTRODES
- 专利标题（英）： Method of growing, on a dielectric material, nanowires made of semiconductor materials connecting two electrodes
- 专利标题（中）： METHOD FOR纳米线由半导体材料生长，两个电极CONNECT，ON的电介质材料
-
申请号： EP08873890.1申请日： 2008-11-27
-
公开(公告)号： EP2240954A1公开(公告)日： 2010-10-20
- 发明人: ERNST, Thomas , BARON, Thierry , FERRET, Pierre , GENTILE, Pascal , SALEM, Bassem
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS -
- 申请人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives,Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS -
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives,Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS -
- 当前专利权人地址： Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc 75015 Paris FR
- 代理机构： Hecké, Gérard
- 优先权： FR0708351 20071128
- 国际公布： WO2009098398 20090813
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
Electrodes (3) made of a metallic material are formed on a layer of dielectric material (2). A lower layer of at least one of the electrodes (3) constitutes a catalyst material (4) in direct contact with the layer of dielectric material (2). Nanowires (6) are grown by means of the catalyst (4), between the electrodes (3), parallel to the layer of dielectric material (2). The nanowires (6) connecting the two electrodes (3) are therefore made of a single-crystal semiconductor material and in contact with the layer of dielectric material (2).
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
