发明授权
- 专利标题： Nitride semiconductor device
- 专利标题（中）： 氮化物半导体器件
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申请号： EP10182174.2申请日： 2001-07-06
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公开(公告)号： EP2276125B1公开(公告)日： 2017-08-23
- 发明人: Kozaki, Tokuya
- 申请人： Nichia Corporation
- 申请人地址： 491-100, Oka Kaminaka-cho Anan-shi Tokushima 774-8601 JP
- 专利权人： Nichia Corporation
- 当前专利权人： Nichia Corporation
- 当前专利权人地址： 491-100, Oka Kaminaka-cho Anan-shi Tokushima 774-8601 JP
- 代理机构： Boult Wade Tennant
- 优先权： JP2000207576 20000707; JP2000306372 20001005; JP2000355078 20001121; JP2001174903 20010608
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; H01L33/00 ; H01L33/32
公开/授权文献
- EP2276125A3 Nitride semiconductor device 公开/授权日：2012-04-25
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