发明公开
EP2296202A2 Printing process for enhanced jetted performance of semiconductor layer
有权
Druckverfahren zur verb dessertenStrahlausstoßleistungvon Halbleiterschichten
- 专利标题： Printing process for enhanced jetted performance of semiconductor layer
- 专利标题（中）： Druckverfahren zur verb dessertenStrahlausstoßleistungvon Halbleiterschichten
-
申请号： EP10175184.0申请日： 2010-09-03
-
公开(公告)号： EP2296202A2公开(公告)日： 2011-03-16
- 发明人: Wu, Yiliang , Drappel, Stephan V. , Hu, Nan-Xing , Smith, Paul F.
- 申请人： Xerox Corporation
- 申请人地址： Xerox Square - 20A 100 Clinton Avenue South Rochester, NY 14644 US
- 专利权人： Xerox Corporation
- 当前专利权人： Xerox Corporation
- 当前专利权人地址： Xerox Square - 20A 100 Clinton Avenue South Rochester, NY 14644 US
- 代理机构： De Anna, Pier Luigi
- 优先权： US560032 20090915
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00
摘要：
Exemplary embodiments provide materials and processes for forming organic semiconductor features by heating a liquid composition containing semiconductor particles into a Newtonian solution for a uniform deposition.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
