发明公开
EP2341542A3 Image sensor using light-sensitive transparent oxide semiconductor material
有权
用光敏透明氧化物半导体材料图像传感器
- 专利标题： Image sensor using light-sensitive transparent oxide semiconductor material
- 专利标题（中）： 用光敏透明氧化物半导体材料图像传感器
-
申请号： EP10170692.7申请日： 2010-07-23
-
公开(公告)号： EP2341542A3公开(公告)日： 2012-09-19
- 发明人: Park, Sung-ho , Song, I-hun , Hur, Ji-hyun , Jeon, Sang-hun
- 申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 申请人地址： 416 Maetan-dong Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： 416 Maetan-dong Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 KR
- 代理机构： Greene, Simon Kenneth
- 优先权： KR20090132825 20091229
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L29/417
摘要：
An image sensor (100) includes a plurality of light-sensitive transparent oxide semiconductor layers as light-sensing layers (110,120,130), a plurality of filter layers (140,150) and a plurality of transparent insulating layers (115). The light-sensing layers may be stacked in one unit pixel region.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
