发明公开
EP2346097A4 GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE
审中-公开
发光氮化镓半导体元件中，用于生产，氮化镓发光二极管，其制造氮化镓发光二极管外延片AND METHOD
- 专利标题： GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE
- 专利标题（中）： 发光氮化镓半导体元件中，用于生产，氮化镓发光二极管，其制造氮化镓发光二极管外延片AND METHOD
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申请号： EP09819191申请日： 2009-10-06
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公开(公告)号： EP2346097A4公开(公告)日： 2014-05-21
- 发明人: YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , UENO MASAKI , KYONO TAKASHI
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2008260823 2008-10-07; JP2009165982 2009-07-14
- 主分类号： H01L33/16
- IPC分类号： H01L33/16 ; H01L21/02 ; H01L33/32 ; H01S5/32 ; H01S5/34
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