发明公开
- 专利标题： ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) SHIELDING FOR STACKED ICS
- 专利标题（中）： SHIELD静电放电（ESD）FOR堆叠式IC
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申请号： EP09740237.4申请日： 2009-10-15
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公开(公告)号： EP2347441A1公开(公告)日： 2011-07-27
- 发明人: TOMS, Thomas R. , JALILIZEINALI, Reza , GU, Shiqun
- 申请人： QUALCOMM Incorporated
- 申请人地址： Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人： QUALCOMM Incorporated
- 当前专利权人地址： Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
- 优先权： US251802 20081015
- 国际公布： WO2010045413 20100422
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L23/60
摘要：
An unassembled stacked IC device (60) includes an unassembled tier. (41) The unassembled stacked IC device also includes a first unpatterned layer (610) on the unassembled tier. The first unpatterned layer protects the unassembled tier from ESD events.
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