- 专利标题: Gasisolierter Hochspannungsschalter
- 专利标题(英): Gas-isolated high voltage switch
-
申请号: EP10169955.1申请日: 2010-07-19
-
公开(公告)号: EP2410553A1公开(公告)日: 2012-01-25
- 发明人: Mauroux, Jean-Claude , Lakner, Martin , Gariboldi, Nicola , Neubauer, Severin , Grob, Stephan
- 申请人: ABB Technology AG
- 申请人地址: Affolternstrasse 44 8050 Zürich CH
- 专利权人: ABB Technology AG
- 当前专利权人: ABB Technology AG
- 当前专利权人地址: Affolternstrasse 44 8050 Zürich CH
- 代理机构: ABB Patent Attorneys
- 主分类号: H01H33/66
- IPC分类号: H01H33/66 ; H01H1/50
摘要:
Der Nennstromkontakt (40) ist für einen Hochspannungsschalter vorgesehen und enthält einen um eine zentrale Achse (A) geführten Kranz von axial ausgerichteten und von einem ringförmigen Kontaktboden (41) getragenen Kontaktfingern (42) mit jeweils einem Kontaktteil (60). Am Kontaktboden (41) ist eine erste (44) zweier Stirnseiten (44, 45) einer hohlzylindrischen Wicklung (43) befestigt, die mehrere Windungen eines elektrisch leitenden Band enthält. In die Wicklung (43) sind radial ausgerichtete und in axialer Richtung auf eine zweite Stirnseite (45) der Wicklung (43) geführte Schlitze (46) eingeformt. Jeweils zwei der Schlitze (46) begrenzen einen Stapel (47) von übereinanderliegenden Lamellen, die in einen der Kontaktfinger (42) integriert sind und die am vom Kontaktboden (41) abgewandten freien Ende das Kontaktteil (60) tragen.
Wegen des mehrteiligen, lamellierten Aufbaus der Kontaktfinger (42) kann ein solcher Nennstromkontakt (40) nach der Erfindung leicht für einen höheren Nennstrom bemessen sein, ohne dass sein Durchmesser und dementsprechend die Zahl seiner Kontaktfinger (42) vergrössert werden muss.
Wegen des mehrteiligen, lamellierten Aufbaus der Kontaktfinger (42) kann ein solcher Nennstromkontakt (40) nach der Erfindung leicht für einen höheren Nennstrom bemessen sein, ohne dass sein Durchmesser und dementsprechend die Zahl seiner Kontaktfinger (42) vergrössert werden muss.
公开/授权文献
- EP2410553B1 Gasisolierter Hochspannungsschalter 公开/授权日:2012-10-03
信息查询