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EP2438396A1 ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUM ÜBERWACHEN EINES DÜNNENS VON HALBLEITERWAFERN SOWIE DÜNNUNGSVORRICHTUNG MIT EINER NASSÄTZEINRICHTUNG UND EINER ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG 有权
ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNGUND VERFAHRENFÜREIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUMÜBERWACHENEINESDÜNNENSVON HALBLEITERWAFERN SOWIEDÜNNUNGSVORRICHTUNGMIT EINERNASSÄTZEINRICHTUNGUND EINERÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG

  • 专利标题： ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUM ÜBERWACHEN EINES DÜNNENS VON HALBLEITERWAFERN SOWIE DÜNNUNGSVORRICHTUNG MIT EINER NASSÄTZEINRICHTUNG UND EINER ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG
  • 专利标题（英）： Monitoring device and method for in situ measuring wafer thicknesses for monitoring a thinning of semiconductor wafers and thinning device comprising a wet etching unit and a monitoring device
  • 专利标题（中）： ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNGUND VERFAHRENFÜREIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUMÜBERWACHENEINESDÜNNENSVON HALBLEITERWAFERN SOWIEDÜNNUNGSVORRICHTUNGMIT EINERNASSÄTZEINRICHTUNGUND EINERÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG
  • 申请号： EP11704475.0
    申请日： 2011-01-10
  • 公开(公告)号： EP2438396A1
    公开(公告)日： 2012-04-11
  • 发明人: DUSEMUND, Claus , SCHÖNLEBER, Martin , MICHELT, Berthold , DIETZ, Christoph
  • 申请人： Precitec Optronik GmbH , Dusemund Pte. Ltd.
  • 申请人地址： Raiffeisenstrasse 5 63110 Rodgau DE
  • 专利权人： Precitec Optronik GmbH,Dusemund Pte. Ltd.
  • 当前专利权人： Precitec Optronik GmbH,Dusemund Pte. Ltd.
  • 当前专利权人地址： Raiffeisenstrasse 5 63110 Rodgau DE
  • 代理机构： Schäfer, Horst
  • 优先权： DE102010015944 20100312; DE102010000079 20100114
  • 国际公布： WO2011086490 20110721
  • 主分类号： G01B11/06
  • IPC分类号： G01B11/06 ;  H01L21/00
ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EIN IN-SITU MESSEN VON WAFERDICKEN ZUM ÜBERWACHEN EINES DÜNNENS VON HALBLEITERWAFERN SOWIE DÜNNUNGSVORRICHTUNG MIT EINER NASSÄTZEINRICHTUNG UND EINER ÜBERWACHUNGSVORRICHTUNG
摘要：
According to the invention, a monitoring device (12) is created for monitoring a thinning of at least one semiconductor wafer (4) in a wet etching unit (5), wherein the monitoring device (12) comprises a light source (14), which is designed to emit coherent light of a light wave band for which the semiconductor wafer (4) is optically transparent. The monitoring device (12) further comprises a measuring head (13), which is arranged contact-free with respect to a surface of the semiconductor wafer (4) to be etched, wherein the measuring head (13) is designed to irradiate the semiconductor wafer (4) with the coherent light of the light wave band and to receive radiation (16) reflected by the semiconductor wafer (4). Moreover, the monitoring device (12) comprises a spectrometer (17) and a beam splitter, via which the coherent light of the light wave band is directed to the measuring head (13) and the reflected radiation is directed to the spectrometer (17). The monitoring device (12) further comprises an evaluation unit (18), wherein the evaluation unit (18) is designed to determine a thickness d(t) of the semiconductor wafer (4) from the radiation (16) reflected by the semiconductor wafer (4) during thinning of the semiconductor wafer (4) by means of a method that is selected from the group consisting of a lD-se FDOCT method, a lD-te FDOCT method and a lD-se TDOCT method.
摘要（中）：

根据本发明，监测装置（12）被创建用于监测湿法蚀刻单元（5）中的至少一个半导体晶片（4）的变薄，其中监测装置（12）包括光源（14） 其设计成发射半导体晶片（4）光学透明的光波段的相干光。 监测装置（12）还包括测量头（13），其相对于待蚀刻的半导体晶片（4）的表面无接触地布置，其中测量头（13）被设计成照射半导体晶片 晶片（4）与光波段的相干光接收并且接收由半导体晶片（4）反射的辐射（16）。 此外，监测装置（12）包括分光计（17）和分束器，光波段的相干光通过该分束器被引导到测量头（13），并且被反射的辐射被引导到分光计（17） 。 监测装置（12）还包括评估单元（18），其中评估单元（18）被设计成根据由半导体晶片（16）反射的辐射（16）确定半导体晶片（4）的厚度d（t） （4）在通过从由1D-se FDOCT方法，1D-te FDOCT方法和1D-se TDOCT方法组成的组中选择的方法进行半导体晶片（4）的减薄期间进行。

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