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EP2549529A1 Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses 有权
Halbleitergehäuseund Verfahren zur Herstellung einesHalbleitergehäuses

  • 专利标题: Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
  • 专利标题(英): Semiconductor housing and method for manufacturing same
  • 专利标题(中): Halbleitergehäuseund Verfahren zur Herstellung einesHalbleitergehäuses
  • 申请号: EP11010292.8
    申请日: 2011-12-29
  • 公开(公告)号: EP2549529A1
    公开(公告)日: 2013-01-23
  • 发明人: Kolleth, TobiasJoos, ChristianStumpf, Pascal
  • 申请人: Micronas GmbH
  • 申请人地址: Hans-Bunte-Strasse 19 79108 Freiburg DE
  • 专利权人: Micronas GmbH
  • 当前专利权人: Micronas GmbH
  • 当前专利权人地址: Hans-Bunte-Strasse 19 79108 Freiburg DE
  • 代理机构: Koch Müller Patentanwaltsgesellschaft mbH
  • 优先权: DE102011013468 20110309
  • 主分类号: H01L23/16
  • IPC分类号: H01L23/16 H01L23/31
Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
摘要:
Halbleitergehäuse aufweisend, einen Metallträger, einen auf dem Metallträger angeordneten Halbleiterkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei die Unterseite mit dem Metallträger kraftschlüssig verbunden ist, und der Halbleiterkörper auf der Oberseite mehrere Metallflächen aufweist, und die Metallflächen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers mittels Bonddrähten mit Pins verbunden sind, und eine Kunststoffmasse, wobei die Kunststoffmasse die Bonddrähte vollständig und den Halbleiterkörper an dessen Oberseite sowie die Pins teilweise umschließt, und wobei die Kunststoffmasse an der Oberseite des Halbleiterkörpers eine Öffnung aufweist, und einen rahmenförmigen oder ringförmigen Wall auf der Oberseite des Halbleiterkörpers ausgebildet ist, wobei der Wall eine Deckfläche und eine von den Rändern des Halbleiterkörpers beanstandete Grundfläche aufweist und die lichten Innenmaße des Walls die Größe der Öffnung auf der Oberseite des Halbleiterkörpers bestimmt, und wobei in Richtung des Normalenvektors der Fläche auf der Oberseite des Halbleiterkörpers die Kunststoffmasse im Bereich außerhalb der Öffnung im Wesentlichen eine größere Höhe als der Wall aufweist und zwischen der Grundfläche des Walls und der Oberseite des Halbleiterkörpers eine Fixierschicht ausgebildet ist.
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