- 专利标题： PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE A NIVEAUX METALLIQUES D'INTERCONNEXION CONNECTES PAR DES VIAS PROGRAMMABLES
- 专利标题（英）： EP2591506B1 - Method of forming a microelectronic device having metal interconnection levels connected by programmable vias
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申请号： EP11728903.3申请日： 2011-07-05
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公开(公告)号： EP2591506B1公开(公告)日： 2018-05-30
- 发明人: ERNST, Thomas , MOREL, Paul-Henry , MAITREJEAN, Sylvain
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： 25, Rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： 25, Rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 代理机构： Ilgart, Jean-Christophe
- 优先权： FR1055467 20100706
- 国际公布： WO2012004267 20120112
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; H01L23/522 ; H01L23/525 ; H01L21/336
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