发明公开
- 专利标题： HETEROGROWTH
- 专利标题（中）： HETEROWACHSTUM
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申请号： EP11773121.6申请日： 2011-10-13
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公开(公告)号： EP2627803A1公开(公告)日： 2013-08-21
- 发明人: WARD, Peter
- 申请人： The University Of Warwick
- 申请人地址： University House Coventry CV4 8UW GB
- 专利权人： The University Of Warwick
- 当前专利权人： The University Of Warwick
- 当前专利权人地址： University House Coventry CV4 8UW GB
- 代理机构： Piotrowicz, Pawel Jan Andrzej
- 优先权： GB201017279 20101013
- 国际公布： WO2012049510 20120419
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B33/06 ; C30B25/18
摘要：
A method comprises bonding a silicon wafer (13) or silicon-on-insulator wafer having a monocrystalline silicon surface region (15) and a wafer-like carrier (12) comprising silicon carbide so as to form a composite wafer (18) having a surface with the monocrystalline silicon surface region for silicon carbide heterogrowth, such as heteroepitaxy. The composite wafer can help avoid wafer bow.
公开/授权文献
- EP2627803B1 HETEROGROWTH 公开/授权日：2017-11-22
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IPC分类:
