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发明授权
EP2649619B1 EMBEDDED DRAM HAVING LOW POWER SELF-CORRECTION CAPABILITY 有权
具有自纠错能力嵌入式DRAM，低功耗

  • 专利标题： EMBEDDED DRAM HAVING LOW POWER SELF-CORRECTION CAPABILITY
  • 专利标题（中）： 具有自纠错能力嵌入式DRAM，低功耗
  • 申请号： EP11813470.9
    申请日： 2011-12-12
  • 公开(公告)号： EP2649619B1
    公开(公告)日： 2016-07-20
  • 发明人: SUH, Jungwon
  • 申请人： Qualcomm Incorporated
  • 申请人地址： International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
  • 专利权人： Qualcomm Incorporated
  • 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
  • 当前专利权人地址： International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
  • 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
  • 优先权： US964761 20101210
  • 国际公布： WO2012079063 20120614
  • 主分类号： G11C11/406
  • IPC分类号： G11C11/406
EMBEDDED DRAM HAVING LOW POWER SELF-CORRECTION CAPABILITY
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