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发明公开
EP2665092A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht 审中-公开
一种用于与一个中间绝缘层制造铜衬底上的半导体元件的方法

  • 专利标题： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht
  • 专利标题（英）： Method for producing a semiconductor element on a copper substrate with intermediate insulation layer
  • 专利标题（中）： 一种用于与一个中间绝缘层制造铜衬底上的半导体元件的方法
  • 申请号： EP12168291.8
    申请日： 2012-05-16
  • 公开(公告)号： EP2665092A1
    公开(公告)日： 2013-11-20
  • 发明人: Bucher, Benno , Stuber, Daniel
  • 申请人： Microdul AG
  • 申请人地址： Grubenstrasse 9 8045 Zürich CH
  • 专利权人： Microdul AG
  • 当前专利权人： Microdul AG
  • 当前专利权人地址： Grubenstrasse 9 8045 Zürich CH
  • 代理机构： Liebetanz, Michael
  • 主分类号： H01L23/373
  • IPC分类号： H01L23/373 ;  H01L33/64
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht
摘要：
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes (40), insbesondere von lichtemittierenden Dioden, setzt ein Kupfersubstrat (10) mit dazwischenliegender Isolationsschicht (50) ein. Dabei wird auf dem Kupfersubstrat (10) vor Aufbringen der Isolationsschicht (50) eine Sinter-Kupferschicht (60) aufgebracht.
摘要（中）：

该方法包括在铜基板（10）上的绝缘层（50）的形成。 由氧游离的铜合金粉末和有机稀释剂的烧结铜层形成绝缘层，在氮气氛下之前铜基板的应用。 位于绝缘层上的LED（40）具有阻挡层没有达照明期间的适当温度，以便分布在圆顶（45）的光。 一个独立的claimsoft被包括的半导体元件。

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