发明公开
- 专利标题： Intravaskuläres Funktionselement und Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung eines Salzbades zur Wärmebehandlung
- 专利标题（英）： Intravascular function element and method for its manufacture, use of a salt bath for thermal treatment
- 专利标题（中）： 用于血管内的功能元件的制备相同的工艺，使用盐浴热处理
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申请号： EP14154280.3申请日： 2014-02-07
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公开(公告)号： EP2765216A1公开(公告)日： 2014-08-13
- 发明人: Schüßler, Andreas , Siekmeyer, Gerd , Cattaneo, Giorgio , Mailänder, Werner
- 申请人： Acandis GmbH & Co. KG , Admedes Schuessler GmbH
- 申请人地址： Kolpingstrasse 5 76327 Pfinztal DE
- 专利权人： Acandis GmbH & Co. KG,Admedes Schuessler GmbH
- 当前专利权人： Acandis GmbH & Co. KG,Admedes Schuessler GmbH
- 当前专利权人地址： Kolpingstrasse 5 76327 Pfinztal DE
- 代理机构： Kilchert, Jochen
- 优先权： DE102013101334 20130211
- 主分类号： C23C8/02
- IPC分类号： C23C8/02 ; C23C8/52 ; A61L31/08
摘要：
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung zur Herstellung eines intravaskulären Funktionselementes, das in ein Hohlorgan einführbar ist und wenigstens einen Draht (10) aus einer Legierung umfasst, die die Legierungselemente Nickel und Titan aufweist, mit den folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Metallkörpers des Drahtes (10) mit metallischer Oberfläche, dann Ausbilden einer ersten Oxidschicht auf der metallischen Oberfläche des Metallkörpers,
dann Durchführen einer Wärmebehandlung des Drahtes (10) in einem Stickstoff enthaltenden Salzbad zur thermischen Ausbildung einer zweiten Mischoxidschicht auf der ersten Oxidschicht, wobei die Gesamtschichtdicke von 15nm bis 100nm beträgt und die Mischoxidschicht TiO 2 und wenigstens ein Nitrid, insbesondere Titanoxinitrid und/oder Titanitrid aufweist.
Bereitstellen eines Metallkörpers des Drahtes (10) mit metallischer Oberfläche, dann Ausbilden einer ersten Oxidschicht auf der metallischen Oberfläche des Metallkörpers,
dann Durchführen einer Wärmebehandlung des Drahtes (10) in einem Stickstoff enthaltenden Salzbad zur thermischen Ausbildung einer zweiten Mischoxidschicht auf der ersten Oxidschicht, wobei die Gesamtschichtdicke von 15nm bis 100nm beträgt und die Mischoxidschicht TiO 2 und wenigstens ein Nitrid, insbesondere Titanoxinitrid und/oder Titanitrid aufweist.
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