- 专利标题： PROCEDE DE FABRICATION D'UN MICRO- OU NANO- FIL SEMICONDUCTEUR, STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UN TEL MICRO- OU NANO- FIL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMICONDUCTRICE
- 专利标题（英）： METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MICRO- OR NANOWIRE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING SUCH A MICRO- OR NANOWIRE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
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申请号： EP12806047.2申请日： 2012-12-19
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公开(公告)号： EP2795685B1公开(公告)日： 2019-01-16
- 发明人: DUSSAIGNE, Amélie , GILET, Philippe , MARTIN, François
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： 25, Rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 当前专利权人地址： 25, Rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 代理机构： Brevalex
- 优先权： FR1162029 20111220; US201261584401P 20120109
- 国际公布： WO2013092665 20130627
- 主分类号： H01L31/0304
- IPC分类号： H01L31/0304 ; H01L31/0352 ; H01L31/18 ; H01L31/20 ; H01L21/02 ; H01L33/00 ; H01L33/18 ; H01L31/0735 ; H01L33/12 ; H01L33/40 ; H01L33/08
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