发明公开
EP2847364A1 FORMULATIONS FOR WET ETCHING NIPT DURING SILICIDE FABRICATION
审中-公开
制剂用于在SILICIDHERSTELLUNG的NiPt的湿蚀刻
- 专利标题： FORMULATIONS FOR WET ETCHING NIPT DURING SILICIDE FABRICATION
- 专利标题（中）： 制剂用于在SILICIDHERSTELLUNG的NiPt的湿蚀刻
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申请号： EP13787810.4申请日： 2013-05-10
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公开(公告)号： EP2847364A1公开(公告)日： 2015-03-18
- 发明人: CHEN, Tianniu , BILODEAU, Steven M. , COOPER, Emanuel I. , CHEN, Li-Min , BARNES, Jeffrey A. , BISCOTTO, Mark , BOGGS, Karl E. , RAJARAM, Rekha
- 申请人： Entegris, Inc.
- 申请人地址： 7, Commerce Drive Danbury, CT 06810 US
- 专利权人： Entegris, Inc.
- 当前专利权人： Entegris, Inc.
- 当前专利权人地址： 7, Commerce Drive Danbury, CT 06810 US
- 代理机构： ABG Patentes, S.L.
- 优先权： US201261645990P 20120511; US201261680047P 20120806; US201361804443P 20130322
- 国际公布： WO2013170130 20131114
- 主分类号： C23F1/08
- IPC分类号： C23F1/08 ; H01L21/302
摘要：
Compositions and methods for substantially and efficiently removing NiPt (1-25%) material from microelectronic devices having same thereon. The compositions are substantially compatible with other materials present on the microelectronic device such as gate metal materials.
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