发明公开
- 专利标题： SILICON WAFER COATED WITH A PASSIVATION LAYER
- 专利标题（中）： 硅晶片上的钝化层
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申请号： EP13732278.0申请日： 2013-04-25
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公开(公告)号： EP2856509A1公开(公告)日： 2015-04-08
- 发明人: ASAD, Syed, Salman , BEAUCARNE, Guy , DESCAMPS, Pierre , KAISER, Vincent , LEEMPOEL, Partrick
- 申请人： Dow Corning Corporation
- 申请人地址： 2200 West Salzburg Road Midland, Michigan 48686-0994 US
- 专利权人： Dow Corning Corporation
- 当前专利权人： Dow Corning Corporation
- 当前专利权人地址： 2200 West Salzburg Road Midland, Michigan 48686-0994 US
- 代理机构： Ede, Eric
- 优先权： GB201209692 20120531; GB201304486 20130313
- 国际公布： WO2013180857 20131205
- 主分类号： H01L31/0216
- IPC分类号： H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要：
Production of a silicon wafer coated with a passivation layer. The coated silicon wafer may be suitable for use in photovoltaic cells which convert energy from light impinging on the front face of the cell into electrical energy.
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