发明公开
- 专利标题: PV-Modul mit besonders hoher Resistenz gegenüber Degradation durch parasitäre elektrische Ströme
- 专利标题(英): PV module with particularly high resistance to degradation from parasitic electrical currents
- 专利标题(中): PV模块与降解特别高的电阻由寄生的电流
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申请号: EP14020079.1申请日: 2014-11-09
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公开(公告)号: EP2881998A2公开(公告)日: 2015-06-10
- 发明人: Naebauer, Anton
- 申请人: Naebauer, Anton
- 申请人地址: Heimstaettenstr. 9 80805 München DE
- 专利权人: Naebauer, Anton
- 当前专利权人: Naebauer, Anton
- 当前专利权人地址: Heimstaettenstr. 9 80805 München DE
- 优先权: DE11318949 20131112
- 主分类号: H01L31/048
- IPC分类号: H01L31/048
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Photovoltaik-Modul mit besonders hoher Resistenz g egenüber Degradationen durch parasitäre elektrische Ströme bei dem die im PV-Modul verwendeten Silikatgläser mindestens 3 % (Mol%) Alkaliionen enthalten und der Isolationswiderstand multipliziert mit der Modulfläche mindestens 100 MΩ*m 2 beträgt.
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