发明公开
EP2881998A2 PV-Modul mit besonders hoher Resistenz gegenüber Degradation durch parasitäre elektrische Ströme 审中-公开
PV模块与降解特别高的电阻由寄生的电流

  • 专利标题: PV-Modul mit besonders hoher Resistenz gegenüber Degradation durch parasitäre elektrische Ströme
  • 专利标题(英): PV module with particularly high resistance to degradation from parasitic electrical currents
  • 专利标题(中): PV模块与降解特别高的电阻由寄生的电流
  • 申请号: EP14020079.1
    申请日: 2014-11-09
  • 公开(公告)号: EP2881998A2
    公开(公告)日: 2015-06-10
  • 发明人: Naebauer, Anton
  • 申请人: Naebauer, Anton
  • 申请人地址: Heimstaettenstr. 9 80805 München DE
  • 专利权人: Naebauer, Anton
  • 当前专利权人: Naebauer, Anton
  • 当前专利权人地址: Heimstaettenstr. 9 80805 München DE
  • 优先权: DE11318949 20131112
  • 主分类号: H01L31/048
  • IPC分类号: H01L31/048
PV-Modul mit besonders hoher Resistenz gegenüber Degradation durch parasitäre elektrische Ströme
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Photovoltaik-Modul mit besonders hoher Resistenz g egenüber Degradationen durch parasitäre elektrische Ströme bei dem die im PV-Modul verwendeten Silikatgläser mindestens 3 % (Mol%) Alkaliionen enthalten und der Isolationswiderstand multipliziert mit der Modulfläche mindestens 100 MΩ*m 2 beträgt.
信息查询
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列(用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00)
H01L31/048 ...模块的封装
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