发明公开
EP3062359A1 HALBZEUGDRAHT FÜR EINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
有权
FOR A的Nb3Sn超导线材和半决赛线法半成品线制造
- 专利标题: HALBZEUGDRAHT FÜR EINEN NB3SN-SUPRALEITERDRAHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES HALBZEUGDRAHTS
- 专利标题(英): Precursor wire for a nb3sn superconducting wire and method for producing the precursor wire
- 专利标题(中): FOR A的Nb3Sn超导线材和半决赛线法半成品线制造
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申请号: EP16156885.2申请日: 2016-02-23
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公开(公告)号: EP3062359A1公开(公告)日: 2016-08-31
- 发明人: Dr. Thoener, Manfred , Dr. Sailer, Bernd
- 申请人: Bruker EAS GmbH
- 申请人地址: Ehrichstrasse 10 63450 Hanau DE
- 专利权人: Bruker EAS GmbH
- 当前专利权人: Bruker EAS GmbH
- 当前专利权人地址: Ehrichstrasse 10 63450 Hanau DE
- 代理机构: Kohler Schmid Möbus Patentanwälte
- 优先权: DE102015203305 20150224
- 主分类号: H01L39/24
- IPC分类号: H01L39/24
摘要:
Ein Halbzeugdraht (1) für einen Nb3Sn-Supraleiterdraht, umfassend eine ringförmig geschlossene Diffusionsbarriere (3) im Inneren deines Cu-Stabilisierungshüllrohrs (2) und eine Vielzahl von Pulver-im-Rohr (PIT)-Elementen (6) im Inneren der Diffusionsbarriere, jeweils umfassend eine Cu-haltige Umhüllung (8), ein Röhrchen (9) und einen Sn-haltigen Pulverkern (10), ist dadurch gekennzeichnet, dass das Röhrchen aus Nb oder einer Nb-Legierung besteht, dass die Diffusionsbarriere im Querschnitt des Halbzeugdrahts einen Flächenanteil von 3 bis 9 % und eine Wandstärke von 8 bis 25 µm aufweist, und dass im Inneren der Diffusionsbarriere mehrere Füllelemente (5) angeordnet sind, die innenseitig an den PIT-Elementen anliegen. Die Erfindung stellt somit einen Halbzeugdraht und ein Herstellungsverfahren desselben zur Verfügung, mit dem eine besonders hohe Stromtragfähigkeit und gleichzeitig eine hohe Leitfähigkeit einer Cu-Stabilisierung sichergestellt werden können.
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