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EP3072234A1 LIMITEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE AMÉLIORÉ; CHAÎNE D'ÉMISSION ET/OU DE RÉCEPTION RADIOFRÉQUENCE ET ÉTAGE D'AMPLIFICATION FAIBLE BRUIT ASSOCIÉS
审中-公开
LIMITEUR DE PUISSANCERADIOFRÉQUENCEAMÉLIORÉ; CHAÎNED'ÉMISSIONET / OU DERÉCEPTION无线电收音机ETÉTAGED'AMPLIFICATION FAIBLE BRUITASSOCIÉS
- 专利标题： LIMITEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE AMÉLIORÉ; CHAÎNE D'ÉMISSION ET/OU DE RÉCEPTION RADIOFRÉQUENCE ET ÉTAGE D'AMPLIFICATION FAIBLE BRUIT ASSOCIÉS
- 专利标题（英）： Improved radiofrequency power limiter, and associated radiofrequency emitter and/or receiver chain and low-noise amplifying stage
- 专利标题（中）： LIMITEUR DE PUISSANCERADIOFRÉQUENCEAMÉLIORÉ; CHAÎNED'ÉMISSIONET / OU DERÉCEPTION无线电收音机ETÉTAGED'AMPLIFICATION FAIBLE BRUITASSOCIÉS
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申请号： EP14799480.0申请日： 2014-11-18
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公开(公告)号： EP3072234A1公开(公告)日： 2016-09-28
- 发明人: PLAZE, Jean-Philippe , PETIT, Vincent , MALLET-GUY, Benoît
- 申请人： THALES
- 申请人地址： 45 Rue de Villiers 92200 Neuilly sur Seine FR
- 专利权人： THALES
- 当前专利权人： THALES
- 当前专利权人地址： 45 Rue de Villiers 92200 Neuilly sur Seine FR
- 代理机构： Lavoix
- 优先权： FR1302646 20131118
- 国际公布： WO2015071495 20150521
- 主分类号： H03F1/52
- IPC分类号： H03F1/52
摘要：
The invention relates to a radiofrequency power limiter (300) comprising at least one transistor (T1, T2, T3, T4), a drain (D) of the or each transistor being directly connected to a mesh connecting an inlet (E) and an outlet (S) of the limiter, a source (S) of the or each transistor being connected to a common reference potential, and a gate (G) of the or each transistor being connected to a common command potential (Voff), the or each transistor being non-polarised between the drain thereof and the source thereof during the operation of the limiter.
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