发明公开
- 专利标题： BUILT-IN BYPASS DIODE
- 专利标题（中）： 内置旁路二极管
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申请号： EP14872115.2申请日： 2014-12-12
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公开(公告)号： EP3084839A1公开(公告)日： 2016-10-26
- 发明人: SMITH, David D. , RIM, Seung Bum
- 申请人： SunPower Corporation
- 申请人地址： 77 Rio Robles San Jose, CA 95134 US
- 专利权人： SunPower Corporation
- 当前专利权人： SunPower Corporation
- 当前专利权人地址： 77 Rio Robles San Jose, CA 95134 US
- 代理机构： Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
- 优先权： US201314136719 20131220
- 国际公布： WO2015094988 20150625
- 主分类号： H01L31/044
- IPC分类号： H01L31/044
摘要：
A bypass diode can include a first conductive region of a first conductivity type disposed above a substrate of a solar cell and a second conductive region of a second conductivity type disposed above the first conductive region. The bypass diode can include a thin dielectric region disposed directly between the first and second conductive regions.
公开/授权文献
- EP3084839B1 BUILT-IN BYPASS DIODE 公开/授权日：2019-04-03
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