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发明公开
EP3180806A1 III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF 审中-公开
具有应变修饰表面活性区的III-氮化物纳米级LED及其制造方法

  • 专利标题： III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF
  • 专利标题（中）： 具有应变修饰表面活性区的III-氮化物纳米级LED及其制造方法
  • 申请号： EP15832263.6
    申请日： 2015-08-07
  • 公开(公告)号： EP3180806A1
    公开(公告)日： 2017-06-21
  • 发明人: ROMANO, Linda , WANG, Ping
  • 申请人： GLO AB
  • 申请人地址： Scheelevägen 22 223 63 Lund SE
  • 专利权人： GLO AB
  • 当前专利权人： GLO AB
  • 当前专利权人地址： Scheelevägen 22 223 63 Lund SE
  • 代理机构： Wichmann, Hendrik
  • 优先权： US201462036363P 20140812
  • 国际公布： WO2016025325 20160218
  • 主分类号： H01L33/02
  • IPC分类号： H01L33/02 ;  H01L33/26
III-NITRIDE NANOWIRE LED WITH STRAIN MODIFIED SURFACE ACTIVE REGION AND METHOD OF MAKING THEREOF
摘要：
A core-shell nanowire device includes an eave region having a structural discontinuity from the p-plane in the upper tip portion of the shell to the m-plane in the lower portion of the shell. The eave region has at least 5 atomic percent higher indium content than the p-plane and m-plane portions of the shell.
摘要（中）：

芯 - 壳纳米线器件包括檐区，该檐区具有从壳的上部末端部分中的p-平面到壳的下部中的m-平面的结构不连续性。 檐区的铟含量比壳的p面和m面部分高至少5个原子百分比。

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