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发明公开
EP3185279A1 PROCEDE DE COLLAGE DIRECT ENTRE DEUX STRUCTURES 审中-公开
直接在两个结构之间收缩的方法

PROCEDE DE COLLAGE DIRECT ENTRE DEUX STRUCTURES
摘要：
Ce procédé comporte les étapes a) fournir la première structure (10, 11) et la seconde structure (20, 21), la première structure (10, 11) comportant une surface sur laquelle est formée une couche de silicium ; b) bombarder la couche de silicium par un faisceau (F) d'espèces configuré pour atteindre la surface de la première structure (10, 11), et pour conserver une partie (3a) de la couche de silicium avec une rugosité de surface inférieure à 1 nm RMS à l'issue du bombardement; c) coller la première structure (10, 11) et la seconde structure (2) par une adhésion directe entre la partie (3a) de la couche de silicium conservée lors de l'étape b) et la seconde structure (20, 21), les étapes b) et c) étant exécutées au sein d'une même enceinte soumise à un vide inférieur à 10 -2 mbar.
摘要（中）：

该方法包括以下步骤：a）提供第一结构（10,11）和第二结构（20,21），第一结构（10,11）具有在其上形成有硅层的表面; b）用配置成到达第一结构（10,11）的表面的物质束（F）轰击硅层，并且保持硅层的一部分（3a）具有较低的表面粗糙度 在轰击结束时在1nm RMS; c）通过步骤b）中保留的硅层的部分（3a）与第二结构（20,21）之间的直接粘合将第一结构（10,11）和第二结构（2） 步骤b）和c）在真空度小于10 -2毫巴的同一腔室内进行。

摘要（英）：

This method comprises the steps a) providing the first structure (10, 11) and the second structure (20, 21), the first structure (10, 11) having a surface on which is formed a silicon layer; b) bombarding the silicon layer with a beam (F) configured to species reach the surface of the first structure (10, 11) and to retain a portion (3a) of the silicon layer with a lower surface roughness 1 nm RMS after the bombing; c) adhering the first structure (10, 11) and the second structure (2) by direct adhesion between the portion (3a) of the silicon layer retained in step b) and the second structure (20, 21) the steps b) and c) are performed in a same chamber with a vacuum of less than 10 -2 mbar.

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