ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS

发明授权

EP3241234B1 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS 有权

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专利标题： ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS
申请号： EP15816623.1

申请日： 2015-12-04
公开(公告)号： EP3241234B1

公开(公告)日： 2022-03-23
发明人: NOMURA, Kenji , HONG, John Hyunchul
专利权人： Snaptrack, Inc.
当前专利权人： Snaptrack, Inc.
当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
优先权： US201414586282 20141230
国际公布： WO2016109118 20160707
主分类号： H01L21/365
IPC分类号： H01L21/365 ; H01L29/66 ; H01L29/786 ; H01L27/12

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS

公开/授权文献

EP3241234A1 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS 公开/授权日：2017-11-08

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/365	.....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积