发明授权
- 专利标题： METHOD OF FORMING SPLIT GATE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL HAVING METAL-ENHANCED GATES
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申请号： EP15798284.4申请日： 2015-11-06
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公开(公告)号： EP3243219B1公开(公告)日： 2019-06-26
- 发明人: CHEN, Chun-Ming , WU, Man-Tang , YANG, Jeng-Wei , SU, Chien-Sheng
- 申请人： Silicon Storage Technology Inc.
- 申请人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 专利权人： Silicon Storage Technology Inc.
- 当前专利权人： Silicon Storage Technology Inc.
- 当前专利权人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 代理机构： Betten & Resch
- 优先权： US201514589656 20150105
- 国际公布： WO2016111742 20160714
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L27/11521 ; H01L29/66 ; H01L29/788 ; G11C16/04 ; H01L21/28
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