• 专利标题: SCHALTUNGSANORDNUNGEN ZUR REDUZIERUNG DER POTENZIALINDUZIERTEN DEGRADATION BEI FOTOVOLTAIK-MODULEN
  • 专利标题(英): EP3252947B1 - Circuit arrangements for reducing potential-induced degradation in photovoltaics modules
  • 申请号: EP17171073.4
    申请日: 2017-05-15
  • 公开(公告)号: EP3252947B1
    公开(公告)日: 2018-12-26
  • 发明人: HACKL, DieterSCHÄFER, OliverGEISS, ManfredSCHEPP, Karl
  • 申请人: Bender GmbH & Co. KG
  • 申请人地址: Londorfer Strasse 65 35305 Grünberg DE
  • 专利权人: Bender GmbH & Co. KG
  • 当前专利权人: Bender GmbH & Co. KG
  • 当前专利权人地址: Londorfer Strasse 65 35305 Grünberg DE
  • 代理机构: advotec.
  • 优先权: DE102016209799 20160603
  • 主分类号: H02S50/00
  • IPC分类号: H02S50/00 H02S50/10
SCHALTUNGSANORDNUNGEN ZUR REDUZIERUNG DER POTENZIALINDUZIERTEN DEGRADATION BEI FOTOVOLTAIK-MODULEN
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