发明公开
- 专利标题： ACTIVATION METHOD FOR SILICON SUBSTRATES
- 专利标题（中）： 硅衬底的激活方法
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申请号： EP16712782.8申请日： 2016-03-18
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公开(公告)号： EP3271500A1公开(公告)日： 2018-01-24
- 发明人: SUCHENTRUNK, Christof , SCHWARZ, Christian
- 申请人： Atotech Deutschland GmbH
- 申请人地址： Erasmusstraße 20 10553 Berlin DE
- 专利权人： Atotech Deutschland GmbH
- 当前专利权人： Atotech Deutschland GmbH
- 当前专利权人地址： Erasmusstraße 20 10553 Berlin DE
- 优先权： EP15160122 20150320
- 国际公布： WO2016150879 20160929
- 主分类号： C23C18/18
- IPC分类号： C23C18/18 ; C23C18/34
摘要：
The present invention relates to an activation composition for activation of silicon substrates, which is an aqueous solution comprising a source of palladium ions, a source of fluoride ions and at least two aromatic acids. The present invention further relates to a method for its use and optionally for subsequent metallization of such treated substrates. The method can be employed in semiconductor and solar cell manufacturing.
公开/授权文献
- EP3271500B1 ACTIVATION METHOD FOR SILICON SUBSTRATES 公开/授权日：2018-06-20
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