发明公开
EP3304662A1 HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
审中-公开
半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法
- 专利标题： HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
- 专利标题（英）： EP3304662A1 - Semi-conductor laser diode and a method for producing a semi-conductor laser diode
- 专利标题（中）： 半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法
-
申请号： EP16725514.0申请日： 2016-05-25
-
公开(公告)号： EP3304662A1公开(公告)日： 2018-04-11
- 发明人: EBBECKE, Jens
- 申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 申请人地址： Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg DE
- 专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人地址： Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg DE
- 代理机构： Epping - Hermann - Fischer
- 优先权： DE102015108529 20150529
- 国际公布： WO2016193102 20161208
- 主分类号： H01S5/10
- IPC分类号： H01S5/10 ; H01S5/02 ; H01S5/022
摘要：
The invention relates to a semi-conductor laser diode (10) comprising a semi-conductor layer sequence (1) with an active zone (4), wherein the semi-conductor layer sequence (1) is cylindrical, a cylinder axis (z) of said semi-conductor layer sequence (1) is perpendicular to a layer plane of the semi-conductor layer sequence (1), and the semi-conductor laser diode (10) emits a beam, generated during operation, perpendicularly to the cylinder axis (z) of the semi-conductor layer sequence (1).
公开/授权文献
信息查询
