Procédé de réalisation d'au moins un transistor FET (100a, 100b) comportant :
- réalisation d'au moins une première portion semi-conductrice (114) destinée à former un canal du transistor FET,
- réalisation de deuxièmes portions semi-conductrices (122, 124, 126) destinées à former des régions de source et de drain, telles que la première portion semi-conductrice soit disposée entre des premières extrémités des deuxièmes portions semi-conductrices et que des deuxièmes extrémités des deuxièmes portions semi-conductrices, opposées aux premières extrémités, soient en contact avec des surfaces d'appui, et comprenant au moins un matériau semi-conducteur dont la structure cristalline est apte à être modifiée lorsqu'il est soumis à un traitement thermique ;
- traitement thermique engendrant une modification de la structure cristalline du matériau semi-conducteur des deuxièmes portions semi-conductrices et créant une contrainte (128) dans la première portion semi-conductrice.