- 专利标题： PROCÉDÉ DE DÉTECTION D'UNE ATTAQUE PAR UN FAISCEAU DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES SUR UN CIRCUIT INTÉGRÉ, ET CIRCUIT INTÉGRÉ CORRESPONDANT
- 专利标题（英）： METHOD FOR DETECTING AN ATTACK BY A BUNDLE OF ELECTRICALLY CHARGED PARTICLES ON AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT
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申请号： EP19187991.5申请日： 2019-07-24
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公开(公告)号： EP3605543A1公开(公告)日： 2020-02-05
- 发明人: MARINET, Fabrice , FORNARA, Pascal
- 申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
- 申请人地址： ZI de Peynier Rousset Avenue Coq 13790 Rousset FR
- 专利权人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
- 当前专利权人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
- 当前专利权人地址： ZI de Peynier Rousset Avenue Coq 13790 Rousset FR
- 代理机构： Casalonga
- 优先权： FR1857057 20180730
- 主分类号： G11C16/22
- IPC分类号： G11C16/22 ; G06F21/75 ; H01L23/00
摘要：
Le procédé de détection d'une attaque d'un circuit intégré (CI) par un faisceau de particules électriquement chargées (IB), comprend :
- une réalisation dans le circuit intégré d'au moins un corps électriquement conducteur (MPL) et d'au moins un transistor d'état ayant une grille flottante (FG) électriquement couplée audit au moins un corps électriquement conducteur (MPL) ;
- une configuration dudit au moins un transistor d'état (FGT) de façon à lui conférer une tension de seuil initiale ; et
- une détection de ladite attaque par une détection d'une tension de seuil dudit au moins un transistor d'état (FGT) différente de la tension de seuil initiale. (FGT).
- une réalisation dans le circuit intégré d'au moins un corps électriquement conducteur (MPL) et d'au moins un transistor d'état ayant une grille flottante (FG) électriquement couplée audit au moins un corps électriquement conducteur (MPL) ;
- une configuration dudit au moins un transistor d'état (FGT) de façon à lui conférer une tension de seuil initiale ; et
- une détection de ladite attaque par une détection d'une tension de seuil dudit au moins un transistor d'état (FGT) différente de la tension de seuil initiale. (FGT).
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