• 专利标题: PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE CRISTALLINE DE MATERIAU PZT ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE PAR EPITAXIE D'UNE COUCHE CRISTALLINE DE MATERIAU PZT
  • 专利标题(英): METHOD FOR MANUFACTURING A CRYSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL, AND SUBSTRATE FOR EPITAXIALLY GROWING A CRYSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL
  • 申请号: EP19722177.3
    申请日: 2019-03-26
  • 公开(公告)号: EP3775332A1
    公开(公告)日: 2021-02-17
  • 发明人: GHYSELEN, Bruno
  • 申请人: SOITEC
  • 申请人地址: FR 38190 Bernin Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques
  • 代理机构: Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
  • 优先权: FR1800253 20180328
  • 国际公布: WO2019186264 20191003
  • 主分类号: C30B23/02
  • IPC分类号: C30B23/02 C30B25/18 C30B29/22 H01L21/762 C30B33/06
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE CRISTALLINE DE MATERIAU PZT ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE PAR EPITAXIE D'UNE COUCHE CRISTALLINE DE MATERIAU PZT
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