- 专利标题： PROCÉDÉ DE PLANARISATION D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR
- 专利标题（英）： METHOD FOR PLANARIZING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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申请号： EP21208567.4申请日： 2021-11-16
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公开(公告)号： EP4002431A1公开(公告)日： 2022-05-25
- 发明人: REBOH, Shay , HARTMANN, Jean-Michel , MAZEN, Frederic , MILESI, Frédéric
- 申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris 25, rue Leblanc Bâtiment "le Ponant D"
- 代理机构： Thibon, Laurent
- 优先权： FR2011912 20201119
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/306
摘要：
La présente description concerne un procédé de polissage d'un substrat semiconducteur (100), comprenant :
a) une étape d'implantations multiples d'ions à partir d'une face supérieure (100U) du substrat, de façon à modifier le matériau d'une partie supérieure (100A) du substrat, l'étape d'implantations multiples comprenant plusieurs implantations successives sous des orientations d'implantation respectives différentes ; et
b) une étape de retrait sélectif de la partie supérieure (100A) du substrat.
a) une étape d'implantations multiples d'ions à partir d'une face supérieure (100U) du substrat, de façon à modifier le matériau d'une partie supérieure (100A) du substrat, l'étape d'implantations multiples comprenant plusieurs implantations successives sous des orientations d'implantation respectives différentes ; et
b) une étape de retrait sélectif de la partie supérieure (100A) du substrat.
公开/授权文献
- EP4002431B1 PROCÉDÉ DE PLANARISATION D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR 公开/授权日：2024-08-21
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