发明公开
- 专利标题： CALCULATING CORRECTIVE READ VOLTAGE OFFSETS IN NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY
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申请号： EP20796518.7申请日： 2020-10-16
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公开(公告)号： EP4022619A1公开(公告)日： 2022-07-06
- 发明人: PAPANDREOU, Nikolaos , POZIDIS, Charalampos , IOANNOU, Nikolas , PLETKA, Roman , STOICA, Radu , TOMIC, Sasa , FISHER, Timothy , FRY, Aaron
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： US Armonk, New York 10504 New Orchard Road
- 代理机构： Ferara, Nina
- 优先权： US201916669241 20191030
- 国际公布： WO2021083692 20210506
- 主分类号： G11C29/02
- IPC分类号： G11C29/02 ; G11C11/56 ; G11C16/26
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